项目名称：高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目

项目代码:2511-42*开通会员可解锁*-304435

建设内容及规模：项目用地面积26666.7㎡，拟新建厂房、原辅料库、研发中心、大宗气站、化学品库等共14674㎡，购置砷化镓主要工艺设备771台及石英管生产主要工艺设备21台，搬迁原有设备379台，建设一条年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片产线及一条年产3万套半导体级4-6英寸石英管生产线。

建设地点：湖北省-黄冈市-黄冈高新技术产业开发区 湖北省黄冈市黄冈高新区生物医药化工园鹰岭路和外环路交界处

环境影响评价管理类别：环境影响报告书

项目总投资（万元）：27230.0

环保投资（万元）：500.0

建设单位名称：湖北鑫耀半导体有限公司

通讯地址：湖北省黄冈市高新技术产业开发区化工产业园外环路9号

邮政编码：438100

环评单位名称：武汉梓婧环保科技有限公司

受理时间：*开通会员可解锁*

公告开始日期：*开通会员可解锁*

公告结束日期：*开通会员可解锁*

公众听证权利告知：根据建设项目环境影响评价审批程序的有关规定，我厅（局）受理了高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目项目环境影响评价文件，现将受理情况予以公示，环评报告书公示期为10个工作日，环评报告表公示期为5个工作日。

公众反馈意见联系方式：审批部门：黄冈市生态环境局 电话：*开通会员可解锁* 通讯地址：黄冈市城东新区永安路特1号