硅光12 英寸多层氮化硅有源工艺流片
发布时间：
2026-09-18
发布于
湖北武汉
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后查看完整商机。全国免费咨询热线:400-888-7022| 硅光12 英寸多层氮化硅有源工艺流片 | |
| 项目所在采购意向： | 华中科技大学2026年9至11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 华中科技大学 |
| 采购项目名称： | 硅光12 英寸多层氮化硅有源工艺流片 |
| 预算金额： | 400.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | C19990000其他专业技术服务 |
| 采购需求概况 ： | SOI 硅层典型厚度 220 nm，最小线宽 / 间距≤100 nm（具体依据 PDK），具备≥3 层金属互连、P 型与 N 型共≥6 种掺杂类型、≥2 层氮化硅层；锗暗电流≤60nA，晶圆级变化量 15%；条形硅波导单模损耗≤2.2dB/cm（@1310/1500nm），条形氮化硅波导单模损耗≤1dB/cm（@1310/1500nm），各项指标均可提供厂家测试结果作为证明材料。 |
| 预计采购时间： | 2026-10 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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