A02330300电子工业生产设备

功能和目标： 分子热流耦合仪包含As裂解阀炉，Te裂解阀炉，In源炉，CdTe/Te源炉，Zn源炉。As裂解阀炉主要用于Si衬底脱氧的As钝化工艺和碲镉汞材料的P型掺杂工艺；Te裂解阀炉和CdTe/Te源炉主要用于碲化镉缓冲层材料的外延生长；Zn源炉主要用于碲化锌低温缓冲层材料的外延生长；In源炉主要用于碲镉汞材料的N型掺杂。各源炉核心指标温度稳定性应达到≤±0.1℃，束流均匀性应保证200mm范围内≤±1.5%，在超高真空外延生长室中提供稳定且均匀的分子束流，以实现高质量碲镉汞材料的外延生长。 痕量气体操控台包含除气室样品架，主要用于晶圆承载钼托的除气和外延衬底的预处理除气。除气室样品架最高加热温度需达到≥800℃，有效去除晶圆衬底及钼托表面的残余气体及杂质。

项目说明： 该项目中的各部件最终要装配到分子束外延设备上使用，各部件的规格及接口要严格按照用户使用要求，精确对接匹配外延系统，保证功能及性能。