近红外增强型光纤耦合单光子计数模块：本采购标用于自发参量下转换量子关联测量及单光子成像实验。采购数量：2台，分别用于信号光和闲频光探测通道。主要技术参数及功能要求如下：探测器结构要求：设备应采用近红外增强型硅雪崩光电二极管单光子计数技术，内置雪崩淬灭、脉冲整形、温度稳定和过载保护功能，能够在室温条件下实现稳定的单光子探测与计数。探测器光敏面有效直径不小于170 μm，典型值不小于180 μm，并应具有较好的光敏面响应均匀性。光谱响应要求：设备应针对红光及近红外波段进行灵敏度优化，典型光谱响应范围应覆盖约600～1100 nm，重点满足780～900 nm波段单光子探测需求。设备应在800 nm波长处进行光子探测效率标定并提供对应测试数据；不含FC适配器时，800 nm处光子探测效率最低不低于62%，典型值不低于68%。780 nm处最低光子探测效率不低于64%，典型值不低于70%；850 nm处最低光子探测效率不低于54%，典型值不低于58%；900 nm处最低光子探测效率不低于41%，典型值不低于45%。暗计数性能要求：在规定工作条件下，单台探测器暗计数率应低于100 cps，以降低双通道符合计数实验中的偶然符合计数和背景噪声。时间性能要求：设备在825 nm波长处的典型单光子时间分辨率应优于或等于350 ps；输出脉冲宽度应为10 ns；死时间应不大于22 ns。设备应满足亚纳秒级时间关联测量及纳秒级符合时间窗口设置需求。计数性能要求：设备饱和前输出计数率最低不低于12 Mcps，典型值不低于37 Mcps，具体数值允许根据输出脉冲宽度和死时间有所变化。设备应具有良好的高计数率线性性能，典型线性校正系数应满足：200 kcps时约为1.00，1 Mcps时约为1.02，5 Mcps时约为1.16，10 Mcps时约为1.40，20 Mcps时约为2.35，25 Mcps时约为3.32。输出信号要求：设备单光子输出脉冲幅度应为2.2 V，脉冲宽度应为10 ns，可与符合计数器、时间数字转换器、时间相关单光子计数模块或其他光子计数采集设备连接。设备应支持门控功能，满足外部触发或实验系统同步控制需求。后脉冲性能要求：设备后脉冲概率典型值应不高于1%，最大值应不高于3%，以减小后脉冲事件对单光子计数、符合计数和时间关联统计结果的影响。光输入接口要求：设备应采用FC型光纤连接接口，