12吋多腔室高 k 原子层生长系统
发布时间：
2026-01-23
发布于
北京朝阳
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后查看完整商机。全国免费咨询热线:400-888-7022| 12吋多腔室高 k 原子层生长系统 | |
| 项目所在采购意向： | 中国科学院微电子研究所2026年2至6月政府采购意向 |
| 采购单位： | 中国科学院微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 12吋多腔室高 k 原子层生长系统 |
| 预算金额： | 3010.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02330300-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 设备名称：12吋多腔室高 k 原子层生长系统，该设备用于HfLaO、Al2O3、HfZrO介质生长，以实现良好立体填充覆盖，实现有效器件阈值调节。HfLaO具备超高k值，可用于降低EOT，减少漏电，增强新型纳米环栅器件性能；HfZrO呈现铁电特性，使用其做为高k栅介质，可有效提升器件亚阈值摆幅；Al2O3用于PMOS器件功函数调整，可以微小厚度空间代价实现合适功函数，节省沟道空间。采购数量1台。 |
| 预计采购时间： | 2026-02 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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