标的名称:高高真空多靶磁控溅射镀膜设备 标的数量:1 主要功能或目标:高真空多靶磁控溅射镀膜设备主要用于铁电氮化物薄膜、金属/铁电氮化物/金属电容结构、电极薄膜、界面层及多层器件的制备，是开展半导体器件、传感器等电极材料及薄膜材料和的关键核心设备。该设备能多靶材同时溅射实现多层膜及掺杂薄膜的可控制备，显著提升薄膜致密度、均匀性与附着力，为揭示薄膜生长机制、优化器件性能提供可靠的样品支撑。 需满足的要求:用于氮化物、金属/铁电氮化物/金属电容结构、电极、界面层及多层器件等制备。样品尺寸需覆盖约 10 mm2 蓝宝石小片、10 mm×10mm或25 mm×25mm ，以及最大4英寸Si/SiO？ 晶圆。薄膜厚度范围1nm–10μm，其中金属电极、粘附层、扩散阻挡层为1–500nm，AlN/AlScN功能层为几十nm至μm 级。沉积速率可调，覆盖 10-100nm/min。