扫描电子显微镜-预公告
发布时间:
2026-07-06
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扫描电子显微镜预公告

采购项目:扫描电子显微镜

关键技术要求:1 电子光学系统1.1 分辨率:不低于 0.8nm(15kV)

;不低于 1.1nm(1kV)

,非样品台减速模式。

1.2 加速电压范围:包含 200V~30kV。1.3 镜筒内减速模式:低电压配备镜筒内电子束减速模式。1.4 电子束流范围:3pA~20 nA,连续可调。1.5 放大倍数:包含 10 倍~1000,000 倍。1.6 放大倍率连续可调,无需任何模式切换。1.7 物镜系统:电磁/静电式物镜系统,电子束无交叉光路设计。1.8 物镜光阑:数量≥5 孔。2 探测器系统2.1 配备二次电子探测器。2.2 配备镜筒内二次电子探测器;可获得高分辨的表面形貌像。2.3 配备样品室内高分辨背散射电子探测器,以获取样品的成分对比信息。2.4 彩色 CCD 样品室观察系统;3 样品系统3.1 样品室尺寸:样品室直径≥310mm,高度≥275mm。3.1.1 可装载最大样品直径:≥180mm。3.1.2 可装载最大样品高度:≥70mm。3.2 样品台类型:五轴优中心马达驱动样品台。3.3 倾斜:不低于 -10º~70º;R=360º,连续可调。3.4 最大样品重量:五轴不低于 500g。3.5 样品台移动范围:>10μm×10μm。3.6 样品台移动范围 X≥110mm;Y≥110mm;Z≥60 mm。4 真空系统4.1 样品室真空度:高真空模式不低于 5×10-4Pa,电子枪真空度不低于 2×10-7 Pa。5 电镜控制与图像控制处理系统5.1 最大存储图像分辨率不低于 32K×24K 像素(非 PS 放大)

6 X 射线能谱仪6.1 探测器:分析型 SDD 硅漂移电制冷探测器,有效面积≥30mm2;高分子超薄窗设计。6.2 能量分辨率:Mn Ka 保证优于 129eV;以上探测器能量分辨率保证符合 ISO 15632:2012 标准。6.3 定量分析:具备 KLM 全谱线系数据库,采用 XPP 定量修正技术,配置 20kV 及 5kV 高低电压定量数据库,可覆盖不同电压下的定量分析。7 高分辨 EBSD7.1 高速低噪音 CMOS 相机,分辨率不低于 1k*1k,并能够与各主流型号的电镜良好配合。

7.2 EBSD 在线解析最高标定速度优于 400pps。7.3 最佳取向精度≤0.05 度。7.4 采用专门定制的光纤传导系统,光通量远大于透镜模组,特别适合弱信号分析。7.5 采用主动式防碰撞传感器设计,在碰撞发生前探测器自动预警并后撤,起到保护 EBSD 作用。8 自动镶嵌机8.1 最大加热温度≥200℃,实时温度实时显示。8.2 加压方式为液压,最大压力≥400bar,压力可调。8.3 支持制备φ30 的样品。9 双盘台式自动磨抛机9.1 制样数量:≥6 个。9.2 试样直径支持φ30mm。9.3 加载力方式:单点气动,每个样品单独施加压力。9.4 标配 6 工位滴液系统。10 自动切割机10.1 最大切割直径:≥80mm。10.2 主轴转速:≥4000r/min,速度可调。10.3 Y 向移动行程:≥220mm。10.4 平台尺寸:≥570mm×470mm。

有意向进行技术交流的潜在投标人可自本公告之日起至 2026 年 7 月 20 日,

每天(节假日除外)北京时间 9:00-16:00 时与以下业务联系人通过电话或邮件沟通交流。业务联系人:朱晓天业务联系电话:*开通会员可解锁*传真:/电子邮件:/地址:/

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