详细要求：

1、 模组塑料外壳须标注”Midea”字样，并注明型号：XXX

2、 模块采用HPD封装， 外形与英飞凌HPD不同，内部结构不同，Pin的定义也不同，AMB设计电参数如下：

ž 母线电压最高2050V.

ž 铜层电流密度降低(Id nom=250A;Id pulse=500A)

ž 无内置解耦电容；

ž SiC芯片数量每个管位4颗芯片并联；

ž 芯片采用铝线键合，SiC芯片与AMB连接采用银烧结工艺；

ž 无pinfin散热器，采用冷板散热，中间涂敷导热硅脂，AMB下铜层焊接铜基板；

ž 电器间隙和爬电距离见附件；

3、 绝缘测试电压：3.5kV Vac

4、 A样品铜基板焊接层空洞率总体3%以内，单个1%以内；样品的铜基板曲率控制目标值暂定在150um以内，最终的曲率控制目标值根据第一版样品焊接调试情况，双方再协商确认。

5、 芯片由甲方统一采买；

6、 交付的样品需要通过模块常温静态测试和绝缘耐压测试。模块常温测试根据乙方现有设备能力测试相关参数。

7、 可行性评估及加工测试阶段和甲方进行两周一次的进度交流（具体时间及形式双方商议）；生产期间允许甲方团队参观，参观期间甲方团队遵守乙方的车间基本管理制度

8、 乙方根据甲方设计结构进行加工。如果有部分加工过程，由于实际位置可能不够导致的部分工艺调整，比如键合线数目的增减，此类细节会告知甲方。其它部分均可按照甲方要求执行。

9、 加工阶段需考虑批量可生产性，迭代的工艺细节需告知甲方，甲方参与讨论。

可靠性要求见附件。